【產業脈動】經濟部技術司SEMICON開展秀29項科專亮點技術　工研院攜手同欣電、山太士布局CoPoS封裝與功率半導體關鍵技術　打入全球半導體龍頭供應鏈

張貼日期：2026/09/03

半導體年度盛事「SEMICON TAIWAN 2026」經濟部產業技術司主題館2日盛大展開，集結29項創新技術，瞄準先進封裝、AI資料中心電源管理、半導體檢測或製造設備等關鍵領域，展現臺灣半導體深厚的研發能量及產業鏈實力。工研院本次展出亮點包含：應用於CoPoS之雙面RDL關鍵製程整合技術，可使線路結構堆疊更精確，封裝設計彈性與良率更提升，已成功打入半導體龍頭供應鏈。另因應AI資料中心800 VDC高壓直流架構需求，開發碳化矽功率模組，提升高壓電力轉換效率，協助建立國產功率半導體供應鏈。

工研院電光系統所所長張世杰表示，工研院持續鎖定前瞻半導體與AI技術研發，並密切串聯大廠，鎖定當前產業挑戰共創解方。像是開發應用於CoPoS之雙面RDL關鍵製程整合技術，控制基板翹曲度比傳統更低，並首創「晶片位移線路補正」技術，可提高晶片封裝良率，還透過多種特殊材料選擇及製程匹配，完成高精細3D串接線路，可擴大封裝線路密度，大幅提升晶片封裝設計彈性。在AI資料中心方面，輝達（NVIDIA）最新揭示800VDC資料中心電力架構藍圖，成為臺廠搶進全球市場的新契機，工研院積極推動碳化矽元件、封裝自主化，開發出的車用碳化矽模組技術、碳化矽功率元件技術均已完成技轉，並進行晶圓代工，逐步壯大國產碳化矽元件供應鏈實力。未來將持續推動半導體前瞻技術及產業合作，強化臺灣半導體上中下游產業生態系，協助業者掌握AI帶動的下一波半導體成長契機。

經濟部產業技術司司長郭肇中表示，根據摩根士丹利及SEMI國際半導體產業協會資料，受惠於AI產業爆發性成長，今年全球半導體總產值有望突破一兆美元，預估2030年達1.5兆美元。產業技術司近6年持續投入超過400億元進行前瞻研發，鎖定AI、矽光子、量子、先進封裝、化合物半導體等關鍵領域，推動晶片軟硬整合，晶圓製造國產化，並強化國際鏈結，以建立具韌性與全球可信賴的先進半導體供應鏈。今年的亮點技術像是攜手山太士、永光化學、志聖工業、晶彩科技等材料設備大廠，開發「應用於CoPoS之雙面RDL關鍵製程整合技術」，可提高晶片封裝良率、設計彈性，已成功打入全球半導體龍頭供應鏈。針對AI資料中心供電正轉向800 VDC架構，工研院整合開發出碳化矽（SiC）功率元件、功率模組、氮化鎵（GaN）內埋封裝技術，對應固態變壓器、儲能系統、太陽能變流器及雙向快充應用，已技轉或串聯同欣電子、尼克森電子、鴻揚半導體、茂矽電子，建立國產碳化矽元件供應鏈，更攜手群創光電推動氮化鎵次系統應用，帶動臺灣功率半導體供應鏈成長升級，串聯上下游的產研成果，也將一併於建構中的直流電網示範場域完成驗證。

經濟部今年4月成立「量子產業技術推動辦公室」後，積極鏈結國際量子業者與臺灣產業，此次與SEMI國際半導體產業協會合作，宣布與美國SEEQC、NantOptiFab及日本富士通簽署合作意向書。SEEQC擅長於單磁通量子（Single Flux Quantum；SFQ）低溫數位控制與讀取晶片，藉由降低布線、功耗及延遲，推動量子電腦邁向大規模系統整合；NantOptiFab發展特殊光子晶圓／晶片代工及電光元件製造，應用可延伸至先進光子與量子光子晶片；日本富士通則具備量子元件、控制及系統整合技術，更與日本理化學研究所（RIKEN）共同開發出256量子位元超導量子電腦。未來將透過推動辦公室對接國際業者需求與臺灣半導體、先進製造、精密零組件及系統整合能量，推動共同開發、試製、測試驗證及供應鏈合作，協助臺灣業者切入全球量子科技供應鏈。

迎接CoPoS「化圓為方」 攜手臺廠供應鏈布局先進封裝

既有晶圓級封裝已面臨嚴重產能限制，為突破此瓶頸，CoPoS（Chip-on-Panel-on-Substrate）先進封裝技術已成為當前的關鍵解方。工研院攜手山太士、永光化學、志聖工業、晶彩科技等多家材料設備大廠，開發應用於CoPoS之雙面RDL關鍵製程整合技術，具有三大特色：第一、控制基板翹曲度優於傳統10倍，確保線路結構精確堆疊。第二、首創「晶片位移線路補正」技術，補正的線路精度達1.5 µm，提高晶片封裝良率。第三、透過多種特殊材料選擇及製程匹配，高精細3D串接線路，深寬比是傳統的2倍，可用於擴大封裝線路密度，大幅提升晶片封裝設計彈性。已成功打入全球半導體龍頭供應鏈，展現技術落地與產業升級效益。

鎖定800V直流微電網趨勢 打造國產功率半導體供應鏈

因應AI帶動的資料中心布建浪潮，機櫃供電正轉向800V直流電架構，同時為強化國產化電源管理供應鏈技術自主，工研院整合開發出碳化矽（SiC）功率元件、功率模組、電子式繼電器及氮化鎵（GaN）高效率電源等專利技術，不僅已將車用碳化矽模組技術，技轉同欣電子，並延伸至固態變壓器等高功率應用；也將碳化矽功率元件技術移轉予尼克森電子，串聯鴻揚半導體、茂矽電子進行晶圓代工，建立國產碳化矽元件供應鏈。更攜手面板大廠群創光電發展內埋式封裝技術，推動氮化鎵次系統應用，帶動臺灣功率半導體供應鏈成長升級。

四倍檢測效率！助攻光學、設備廠打入CoPoS製程

半導體製程越來越精密，晶片表面許多肉眼看不見的立體微小結構，例如高度、間距，都必須快速又精準地量測。過去高階3D檢測多仰賴國外設備，但一次能看的範圍小、掃描速度慢，容易拖慢產線效率。工研院自主開發「半導體晶圓3D形貌檢測技術」，打造國內首台陣列式干涉掃描模組，讓設備一次看得更廣、量得更快，檢測效率提升至傳統設備的四倍，量測精度可達10nm，約是頭髮直徑的萬分之一等級，讓先進封裝檢測更快、更準。目前技術已技轉光學大廠佳凌及半導體檢測設備商和全豐，協助國內業者開發自主先進封裝檢測設備，並應用於CoPoS等製程驗證，這項技術可快速找出晶片封裝中的微小缺陷，支援AI、高效能運算及車用電子等高階晶片的檢測需求。

半導體ALD設備拚國產化 助記憶體大廠轉型

在記憶體堆疊的層數競賽當中，原子層沉積（Atomic Layer Deposition；ALD）設備是不可或缺的決勝關鍵設備，當堆疊層數越高，可供聯絡每一層之間訊號的深孔就變得越加細長，傳統ALD設備鍍膜時常「鍍不到、鍍太慢」，在記憶體短缺的市況下，成為生產端的一大難題。為此工研院透過「交叉流場技術」，使得鍍膜速度提升三倍，可達到逾95%鍍膜均勻度，並支援三種以上的多元材料沉積。目前已成功串聯設備廠商旭宇騰精密科技、零組件廠、材料大廠等，打造國內供應鏈，共同協助記憶體大廠提升關鍵設備國產自主率預期達75%，成功提升臺灣設備、材料等廠商競爭力，搶攻記憶體商機。

半導體製程再加快！八倍檢測效率吸引一線大廠採用

半導體5奈米製程以下，對極紫外光微影（Extreme Ultraviolet Lithography；EUVL）輻射劑量控制的精度要求日益提高，然而傳統量測方法程序冗長，難以即時掌握晶圓面實際受光劑量。因應半導體領先製造廠商需求，工研院開發出「FOUP式EUV劑量量測系統」，將無線晶圓式量測儀整合於矽晶圓的專用密封容器（Front Opening Unified Pod；FOUP），可相容於產線機台，在機台運作過程同步進行量測，檢測效率提升8倍以上；量測結果具國家計量標準的溯源性，提升量測數據的可信度，並支援產線自動化需求。目前已於半導體領先製造廠商完成場域驗證並與洽談技轉合作開發，期望投入第一線製程應用，協助臺灣半導體產業強化前端製程量測能量。　

資料來源：機械工業官網