【李家同】複製韓廠「危機入市」模式　長鑫存儲低價策略成功

張貼日期：2025/03/14

李家同

大陸政府對記憶體產業的協助，可怕也。最嚴重的是，大陸在記憶體技術方面也慢慢地趕上了韓國。雖然現在在最尖端仍落後於韓國，但價格比較便宜，銷路很好。

在危機時期透過積極投資的「危機入市」，一方面加速縮小技術差距，另一方面則是擴大產能，而這正是讓南韓記憶體，成為今日全球霸主的核心戰略。

然而。目前此戰略很可能正被中國記憶體業者「複製」，中國對南韓記憶體產業的威脅，儼然已從未來式，變成了現在進行式。

據韓媒ET News報導，中國記憶體業者透過先進製程追趕，不斷縮小與南韓的技術差距外，同時也不斷增加資本支出擴大產能，而這正是南韓當初「危機入市」，憑藉壓倒量產能力，成功甩開日本、台灣的關鍵戰略。

TechInsights日前公布數據，稱中國DRAM龍頭長鑫存儲的資本支出，已從2018年的12.5億美元，增為2024年的72.98億美元，短短6年間翻了6倍。

2024年長鑫存儲的投資金額，甚至達SK海力士（SK Hynix）的72.9%，相比2018年僅為SK海力士投資金額的8.6%，如今已是「迎頭趕上」。

值得關注的是，長鑫存儲選擇在半導體產業低迷時，進行大規模投資，而這點也很像過去韓廠，經常採取的「危機入市」策略。

長鑫存儲2023年的投資金額，較前一年增加131.9%，達到61.43億美元。與此同時，由於半導體市場自2022年下半陷入低迷，SK海力士、美光（Micron）等，均大幅縮減投資，相形之下長鑫存儲依然能夠擴大投資與產能。

尤其長鑫存儲增加投資，恰逢美國對中國半導體制裁全面升級之際，推測長鑫存儲之所以能夠持續增加投資，背後可能與中國政府的大力支持有關。而長鑫存儲積極「逆市」擴產已開始發揮效果，憑藉著規模經濟迅速蠶食市場。

約從2024年下半開始，長鑫存儲開始發動DDR4 DRAM的價格戰，其中8Gb DDR4 DRAM的售價，硬是比競爭對手低50%左右，市佔率得以快速上升至5%。這樣的低價攻勢，傳已對三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士的DRAM獲利能力形成負面影響。

南韓半導體業界人士表示，過去日本記憶體將主導權拱手讓給南韓，並不是因為技術競爭力不足，而是因為投資不足，相較目前中國的積極投資，南韓可能正在重蹈日本的覆轍。

TechInsights進一步預測，長鑫存儲2025年資本支出，將較2024年增加5.3%，來到76.88億美元。2025年投資可能聚焦高頻寬記憶體（HBM），據悉長鑫存儲可能計劃在2025年，於中國合肥工廠量產HBM2。